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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5229 个

  • 车载usb,3402 SOT23,​30v4a,KIA3402场效应管参数-KIA MOS管

    车载usb专用MOS管KIA3402漏源电压30V,漏极电流4A,采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(on)、低栅电荷和栅电压低至2.5V,最大限度地减少导电损耗、高效低耗;3402是一款可靠性高、性能稳定的场效应管,具有低电压放大和开关特性,适用于负载开关、PWM应用中,...

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    www.kiaic.com/article/detail/5648.html         2025-04-30

  • 电动汽车逆变器的作用,工作原理图-KIA MOS管

    电动汽车逆变器的工作原理是将电池的直流电(DC)转换为驱动电机所需的交流电(AC),通过高频开关控制与波形调制实现高效能量转换。

    www.kiaic.com/article/detail/5647.html         2025-04-30

  • 逆变器的作用是什么,逆变器作用原理详解-KIA MOS管

    直流电源输入: 接收来自太阳能电池板或蓄电池的直流电。电流转换: 内部电子开关快速切换电流方向,形成与交流电类似的波形。交流电输出: 转换后的交流电输送至电器或电网,为生活和生产提供动力。

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    www.kiaic.com/article/detail/5646.html         2025-04-30

  • 9150mos管,40a500v场效应管,KNH9150B参数引脚图-KIA MOS管

    KNH9150B场效应管漏极电流40A,漏源击穿电压为500V,采用高级平面条纹DMOS技术,低导通电阻RDS(开启) 87mΩ,最大限度地减少开关损耗,低栅极电荷(典型值为117nC)、低跨导(典型值为8.6pF),高效低耗;快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,稳定可靠;封...

    www.kiaic.com/article/detail/5645.html         2025-04-29

  • 移动电源的组成,移动电源的内部结构-KIA MOS管

    使用移动电源时看到的输入输出接口、电源按键、电量显示装置一般均集成在转换电路板上;在转换板内部有着输入输出IC、电池组保护板(MOS+检流电阻+电源管理IC)、主控单片机以及若干稳压稳流的电阻电感和电容,部分快充电源还会有协议识别芯片等。

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    www.kiaic.com/article/detail/5644.html         2025-04-29

  • 移动电源电路,原理图详解-KIA MOS管

    移动电源内部有充电管理系统,该系统能够根据电池的电压自动调节充电电流,包括预充、恒压充电和浮充等过程。组成部分包括外壳、电路板和电芯。电路板的功能是调整输入和输出的电流,防止设备损坏,而电芯则负责存储电能。

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    www.kiaic.com/article/detail/5643.html         2025-04-29

  • 电机驱动mos管选型,85v120a,KCD3008A场效应管参数-KIA MOS管

    KCD3008A场效应管漏极电流120A,漏源击穿电压为85V,采用先进的SGT技术,极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ,最大限度地减少开关损耗,提高效率;优秀的栅极电荷xRDS(开)产品(FOM),稳定可靠;在电机驱动器和DC/DC转换器、SR(同步整流)中能够高效运行;封装形...

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    www.kiaic.com/article/detail/5642.html         2025-04-28

  • 电动自行车控制器,控制器电路分享-KIA MOS管

    稳压电源 由V3(TL431),Q3等元件组成,从36V蓄电池经过串联稳压后得到+12V电压,给控制电路供电,调节VR6可校准+12V电源。

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    www.kiaic.com/article/detail/5641.html         2025-04-28

  • led电源,LED驱动电源电路原理图详解-KIA MOS管

    输入过压保护主要针对的是雷击或市电冲击产生的浪涌。当DC电压通过“+48V、GNG”两端进入电路,并经过R1电阻进行限流时,若后续线路发生短路,R1的电流会增大,进而导致其两端压降也相应增大。

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    www.kiaic.com/article/detail/5640.html         2025-04-28

  • dcdc变换器,130a200v,2920场效应管,​KCP2920A参数-KIA MOS管

    KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺,??漏源击穿电压200V,漏极电流130A;新型沟槽技术,低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ(典型值)@VGS=10V,低栅极电荷,最小化开关损耗、?提高效率;快速恢复体二极管,?开关特性好、反向恢复时间短,稳定可靠,广泛应用于高...

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    www.kiaic.com/article/detail/5639.html         2025-04-27

  • dcdc变换器工作原理,双向dcdc电路-KIA MOS管

    通过改变MOS管的开断,可以改变输出电流的方向,合理运用输入输出端口,既可以实现降压功能,也可以实现升压功能。它由两个MOS管和两个二极管组成。

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    www.kiaic.com/article/detail/5638.html         2025-04-27

  • 整流器和逆变器的区别,作用详解-KIA MOS管

    逆变器:通过控制开关器件(如IGBT、MOSFET)的通断,生成脉宽调制(PWM)波形,合成所需频率和幅值的交流电。其电路复杂度通常高于整流器。

    www.kiaic.com/article/detail/5637.html         2025-04-27

  • bms mos,40v130a参数 低内阻,KND2904A场效应管-KIA MOS管

    bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V,漏极电流130A,极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ(典型值)@VGS=10V,减小损耗、提高效率;低跨导、快速切换,高效低耗;100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力,稳定可靠,广泛用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域,封装形...

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    www.kiaic.com/article/detail/5636.html         2025-04-25

  • 双电源电路原理图,可调双电源电路分享-KIA MOS管

    为了确保无闩锁操作,电路会自动感测器件中的最负电压,并确保N沟道开关源极-基板结不存在正向偏置。振荡器频率的标称频率为10kHz(VCC=5V),但可以通过向振荡器(OSC)端子添加外部电容器来降低该频率,或者通过使用外部时钟过驱动OSC来提高该频率。

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    www.kiaic.com/article/detail/5635.html         2025-04-25

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